11일(현지시간), 삼성전자가 미국 라스베이거스에서 개최된 ‘CES 2024’에서 AI 시대를 주도할 차세대 반도체 제품으로 생성형 AI와 온디바이스(내장형) AI용 D램을 대거 공개했다.

삼성전자 DS(반도체) 부문은 매년 CES에 참가하여 최신 제품을 세계적인 IT 고객 및 협력사들에 소개하고 있다.

라스베이거스 앙코르 호텔 내 전시공간에서는 가상 반도체 팹을 설치하고, 서버, PC·그래픽, 모바일, 오토모티브, 라이프스타일 등 5대 응용 분야별로 전용 공간을 구성했다.

이번 CES 전시에서 소개된 고용량 라인업인 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램은 동일한 패키지 사이즈에서도 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 적용하지 않고도 128기가바이트(GB)의 고용량 모듈을 구성할 수 있다. 또한, TSV 기술을 활용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받고 있다.

AI 시대를 주도하는 클라우드용 솔루션으로 소개된 HBM(고대역폭메모리)3E ‘샤인볼트’도 전시됐다. 이 제품은 이전 세대인 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선된 혁신적인 솔루션이다.

온디바이스 AI 시장 겨냥한 △8.5Gbps 'LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW D램 등을 공개하며 시장 선점에 대한 포부를 드러냈다.

초당 8.5Gb를 지원하는 LPDDR5X D램은 14나노미터(1나노는 10억 분의 1m) 공정과 하이케이 메탈 게이트 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. 하이케이 메탈 게이트는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술이다. 

LPDDR5X-PIM은 메모리 병목현상을 개선하기 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 LPDDR에 적용한 제품이다. LPDDR5X D램보다 성능이 8배 높아졌고 전력은 50% 절감됐다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 차세대 고성능 메모리 산업이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것이라고기대했다. 그는 HBM 시장에 대해 "(메모리 반도체) 시황이 어렵더라도 앞으로도 캐펙스(Capex·시설투자)를 유지하면 경쟁력은 올라갈 것"이라며 향후 시설투자를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.

이어 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 공장에 대해서도 "미국정부와 협상을 진행하고 있고 조만간 구체적인 일정을 공개하게 될 것"이라고 했다.