삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 17일, “D램과 낸드플래시의 집적도를 극한 수준으로 높일 것”이라고 밝혔다. 

이 사장은 오늘 발표한 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 “D램은 3D 적층 구조와 신소재에 대한 연구개발을 진행 중이며, V낸드는 단수를 늘리면서도 간섭을 최소화하여 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 삼성전자의 강점을 고도화할 것”이라고 설명했다.

이어서 “V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조를 도입하는 등, 차세대 혁신 기술을 개발 중이며, 새로운 가치 창출을 위한 노력을 진행 중”이라고 덧붙였다.

또한, 이 사장은 HBM(고대역폭메모리)에 대해 “AI(인공지능) 시대에 고객에게 새로운 가치를 제공할 수 있는 핵심 제품”으로 소개하며, “고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하여 최상의 솔루션을제공할 것”이라고 강조했다.

고부가 제품과 선단 공정 생산비중을 높이는 등 R&D(연구개발) 투자 강화 의지도 밝혔다. 이 사장은 "기흥 캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어가겠다"고 했다.